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簡報大綱
公司簡介
產品應用領域介紹
市場概況介紹
核心競爭優勢
未來發展
經營實績
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美國德州二廠
Facility Photo
公司簡介-基本資料
• 成立時間：1999年1月1日
• 董 事 長：康潤生
• 總 經 理：高永中
• 實收資本：新台幣 3 億元
• 總公司地址： PO Box 309, Ugland House, Grand Cayman, KY1-1104, Cayman Islands
• 台灣分公司地址：台北市士林區德行西路33號5樓
• 工廠地址：美國德州,1250 E. Collins Blvd., Richardson, TX, USA
• 商業模式：三五半導體磊晶晶片代工製造廠
• 主要產品：
* 砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）磊晶晶片
� 微波通訊（手機、平板、Wi-Fi、GPS、衛星、國防）、雲端運算、資料中心
* 銻化鎵（GaSb）紅外線磊晶晶片
� 保全、防疫、國土安全、太空科技、熱光伏
* 光電元件磊晶晶片（雷射二極體、光接收器：PIN/APD）
� 光通訊、雲端運算、資料中心
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公司簡介-全球據點
2013
總面積4,000 平方英尺.100 級 無塵室1,200平方英尺
II-VI 族 碲 化 鎘 鋅（CdZnTe）單晶生長MBE機台備用產能,擴充產能, 緊急危機產能
切入II-VI族紅外線基板市場擴充公司在II-VI族紅外線材料主流市場上之影響力
美國德州李察森市
日本橫濱市
2010
日本主要客戶技術服務如：Sumitomo, Mitsubishi,and Sony
提供更優良更即時的服務給日本一線客戶
2009 7,500平方英尺生產廠房基板再生原材料採購銻化鎵、銻化銦單晶生長
砷化鎵磷化銦4~6英吋基板再生生產2~3英吋磊晶級銻化鎵基板
中國天津市
2013 3,000平方英尺辦公室面積台灣市場客戶服務投資人關係上市相關事宜
位於台北市士林區可就近服務投資人與客戶
台灣台北市
20118,000平方英尺100 to10K 無塵室
銻化鎵長晶切片研磨拋光
提高產能以因應生產高峰時所需美國德州亞倫市
據點 照片 開始時間 面積與用途 功能 優勢
2002總面積23,000 平方英尺.生產區面積13,000平方英尺
總部磊晶生產無塵室產品測試
北美最大MBE磊晶片生產工廠全球磷化銦銻化鎵磊晶片代工領導廠商
美國德州李察森市
1,000平方英尺辦公室面積
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公司簡介-經營團隊
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公司簡介
產品應用領域介紹
市場概況介紹
核心競爭優勢
未來發展
經營實績
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晶體結構之定義
非晶體結構(amorphous)
- 原子排列無規律模式
- 例如: 玻璃
單晶體結構 (single crystalline)
- 原子排列有單一且全面規律模式
- 例如: 單晶矽基板、砷化鎵單晶基
板、磷化銦單晶基板、銻化鎵單晶
基板
多晶體結構(polycrystalline)
- 原子排列有局部規律模式
- 例如: 砂子、多晶矽基板
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甚麼是磊晶
• 磊堆在單晶基板上的單晶層就是磊晶
• 空間中每一個原子跟其他原子都有規則排
列之對應關係
磊晶層
單晶基板
磊晶層
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磊晶怎麼長出來
磊晶層是用MBE或MOCVD在加熱的單晶基板上一個原子一個原
子規則排列堆疊長出來的
• MBE (超高真空度底下, 10-11 torr)
Ga + As � GaAs
• MOCVD (低真空度, 0.1~1 torr)
Ga + 3(CH3) � Ga(CH3)3
As + 3/2 (H2) � AsH3
Ga(CH3)3 + AsH3 � GaAs
圖片來源: 科技台灣
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為什麼是三五族半導體
Electron and hole mobility of
III-V semiconductors
Electron
Hole
• 甚麼是三五族半導體
化學元素週期表中三族和五族元素的化合物
就是三五族半導體，如砷化鎵(GaAs)ヽ磷化
銦(InP)ヽ銻化鎵(GaSb)ヽ氮化鎵(GaN)等等
• 為什麼高頻通訊元件要用三五族半
導體材料來做呢
三五族半導體電子遷移速率比矽和鍺半導體
高很多，所以可以驅動到更高頻率
InP系列(900GHz) > GaAs系列(100GHz) >
Ge > Si
III IV V
B 硼 C 碳 N 氮
Al 鋁 Si 矽 P 磷
Ga 鎵 Ge 鍺 As 砷
In 銦 Sn錫 Sb 銻
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三五族半導體產業上中下游介紹
•手機
•平板
•穿戴裝置
•有線電視
/ 衛星通訊
•W
i-Fi 連結
•無線基地台
•車用電子
/ 防撞雷達
•太空
/ 國防
•R
FID
•醫療
•智慧型能源系統
•測試與量測
行動裝置晶片 非行動裝置晶片 光通訊晶片
•收發模組
•驅動
IC
磊晶片(砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵)
基板(砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵)
晶圓製程
半導體封裝
Sumitomo, AXT
IET, IQE, 全新
穩懋, 宏捷
IDM:
Skyworks,
RFMD, Triquint
磊晶片品質:決定電子
元件品質, 效能, 良率
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Emitter
Base
Collector
0.25 µm
Emitter
Base
Collector
0.25 µm
產品應用領域介紹-高頻元件、積體電路
主要產品:
•砷化鎵(GaAs)磊晶晶片
–主要應用於行動通訊裝置，如手機開關及微波通訊(基地台,GPS,衛星)
–新市場機會：(>40G)超高頻應用通訊元件,汽車防撞雷達
•磷化銦(InP)磊晶晶片
–主要應用於高頻光纖網絡，高頻量測儀器元件，光通訊用光接收器
–新市場機會：雲端計算，資料庫，資料傳遞
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汽車防撞雷達原理
資料來源: 網路資訊
� 汽車防撞雷達將成為安全基本配備
� 汽車供應鏈切入需３～５年 （若有機會）
� UMS是汽車大廠主要的汽車雷達晶片市佔第一之供應商
� 英特磊是UMS在Soitec併購後唯一磊晶片供應商
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汽車防撞雷達原理
UWB (Ultra Wide Band)
• 測距
• 較無空間多重反射干擾之
問題
• 定位能力較佳
• 需要較複雜的時序控制
FMCW (Frequency Modulated
Continuous Wave)
• 測距
• 測速(都普勒效應)
• 系統較為單純
• 容易被干擾
資料來源: 網路資訊
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汽車防撞雷達(UMS solution)
資料來源: UMS網站
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主要產品：
� 銻化鎵(GaSb)紅外線探測器磊晶晶片
– 主要應用於夜視、保全、國土安全、太空科技等用途
– 垂直整合大尺寸銻化鎵(GaSb)基板材料
– 新市場機會：聚焦平面列陣(FPA)可取代II-VI化合物
既有市場
聚焦平面列陣（FPA）紅外線熱影像
T2SLS epi-structure
銻化鎵磊晶片
銻化鎵單晶
美國太空總署紅外線衛星攝影於地球表面
聚焦平面列陣（FPA）
產品應用領域介紹-銻化鎵（紅外線探測器、熱光伏電池）
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產品應用領域介紹-銻化鎵（紅外線探測器、熱光伏電池）
第0頁
第1,2頁
第9,10頁
紅外線攝影機可看出紅外線穿透紙張 紅外線攝影機可看出溫度變化
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產品應用領域介紹-銻化鎵（紅外線探測器、熱光伏電池）
高解析度紅外線攝影
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產品應用領域介紹-銻化鎵（紅外線探測器、熱光伏電池）
紅外線影像可見光影像
圖片來源: 美國太空總署網站; 紅外線磊晶片: 英特磊產品
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碲化锌鎘 (CdZnTe (CZT)) 單晶基板
• 熱影像偵測飛彈追熱系統
• γ 伽瑪射線偵測器
• 正子電腦斷層掃描（PET/CT）
資料來源: 網路資訊
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碲化锌鎘 (CdZnTe (CZT)) 單晶基板
CT （PET/CT）
正子電腦斷層掃描（PET/CT）
正子電腦斷層造影（PET／CT）是一種高科技醫學檢查，使用一種
帶有微量正子與葡萄糖相似的分子”氟化去氧葡萄糖（簡稱FDG）”
注入體內。經由血液循環至體內組織器官，再結合掃描儀器顯現全
身各層次影像。PET ／CT產生的影像就好比電視氣象報告中所顯示
的衛星雲圖一樣，PET以色譜顯示癌細胞聚集處，重疊於CT所顯示
的解剖影像，清楚告訴醫師癌細胞的位置，PET／CT精確的將癌細
胞活動狀況及位置融合在一張影像資料中。
鼻咽癌
（PET/CT） CT
肺癌
資料來源: 網路資訊
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碲化锌鎘 (CdZnTe (CZT)) 單晶基板
� ＣＺＴ成長方式ＨＢ成長法
� ３０年成長經驗
� 已獲得特殊應用供應鏈大廠研磨技術共同開發計畫
圖片來源: 網路資訊
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主要產品：
� 面射型雷射（VCSEL）磊晶晶片
� 主要應用於資料通訊
� 光通訊用光接收器磊晶晶片（PIN和APD）
� 主要應用於光纖網路、資料庫和雲端運算
產品應用領域介紹-光電元件
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英特磊: 三五半導體器件産品矩陣列示
射頻與微波
高速電子傳輸
光電
應用
• 手機高頻元
件
• 汽車防撞雷
達
• 國防用途
• OC768-
40Gbps 網路
• OC192-
10Gbps 網路
• 光纖網路
• 圖像識別
器件類別
(紅色為量產產
品)
• GaAs pHEMT • GaAs mHEMT • InP HEMT • InP HBT
• InP HBT • InP HEMT • GaAs mHEMT
• GaAs PIN/APD • InP PIN/APD • QWIP • Diode laser • GaSb T2 SLS IR
detector
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公司簡介
產品應用領域介紹
市場概況介紹
核心競爭優勢
未來發展
經營實績
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Designates office locations
North America:
76% 2014
(85% 2013)
Korea/Taiwan
2% 2014
Europe:
12% 2014
(2% 2013)
Japan:
11% 2014
(10% 2013)
China
Sourcing &
R&D
集團架構與市場分布
IET-Cayman
IntelliEPI/
ChinaIntelliEPI/
Japan
IntelliEPI
IntelliEPI IR*
� 北美歐洲市場佔營收 ~ 90%
� 日本市場主要來自資料通訊（datacomm）及特殊高頻應用，以磷化銦關鍵元件為主
公司於全球主要市場均有據點，具備全球競爭能力
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公司簡介
產品應用領域介紹
市場概況介紹
核心競爭優勢
未來發展
經營實績
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核心競爭優勢–智慧型分子束磊晶系統（Smart MBE）
ABES light source:
Light pipe, or
Heater filament
Optical
Pyrometer
Optical Reflectometry
OFM
Optical-based Flux
Monitor
(OFM)
即時監測系統
Proprietary In Situ Composition Setup
即時生長資料：溫度 & 通量
Sensor
Data
� 美國專利智慧型磊晶層即時監控系統
� 即時監控元素通量、溫度，確保磊晶層成分、厚度、溫度之精確性
� 縮短產品開發、驗證時間
� 降低生產成本提高生產良率
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� 100%硬體自主能力（維修、零件、次系統設計組裝能力）
� 次系統自主維修改良，延長機台使用週期
� 降低機台維修成本
� 縮短機台維修復機時間
核心競爭優勢–硬體自主維修改良能力
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� 全世界唯二MBE磊晶代工廠之ㄧ
� Skyworks Solutions 最佳供應商獎，產品涵蓋手機與其他高頻應用產品(>80%)
� 高頻量測儀器大廠安捷倫科技（Agilent）獨家磊晶片供應商5年8億台幣合約
� 5G高頻量測儀器市場契機
� 法國汽車防撞雷達晶片大廠UMS認證通過，為唯一供應商
� 美國特殊應用合約開發尖端紅外線材料
� 美國特殊應用大廠委託開發CdZnTe (CZT)晶片研磨技術
核心競爭優勢-策略與市場定位
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公司簡介
產品應用領域介紹
市場概況介紹
核心競爭優勢
未來發展
經營實績
32
32
發展方向朝向高毛利及對MBE磊晶技術有優勢之產品
未來發展
2012-2014:大面積銻化镓紅外線晶體成
長、研磨、拋光
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擴充與合作
� 2014英特磊和Soitec 簽訂整廠設備移轉與技術授權合約合約
�與既有客戶完成產品認證，獨家供貨，主要客戶包括歐洲最強的汽車防撞雷達晶片廠ＵＭＳ，美國TriQuint-德州廠
� 2014英特磊承接Skyworks Solutions 所有MBE生產設備
�獨家供應Skyworks Solutions 所有非行動裝置之高頻磊晶片
� 2016完成新廠建置進一步擴充產能
� 布局中國大陸市場，尋求合作機會
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公司簡介
產品應用領域介紹
市場概況介紹
核心競爭優勢
未來發展
經營實績
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單位: 新台幣仟元
Q1-12 Q2-12 Q3-12 Q4-12 Q1-13 Q2-13 Q3-13 Q4-13 Q1-14 Q2-14 Q3-14 Q4-14 Q1-15 Q2-15
營業收入 $120,193 $142,903 $147,182 $147,864 $134,057 $169,099 $135,484 $131,703 $122,747 $152,878 $208,504 $171,486 $207,892 $224,008
營業利益 $16,996 $47,585 $42,266 $14,037 $14,379 $37,393 $39,732 $14,969 $20,848 $12,490 $39,348 $37,368 $41,776 $65,101
毛利率 34.9% 52.0% 47.8% 34.2% 36.6% 43.2% 52.9% 35.2% 45.3% 31.2% 35.8% 39.6% 36.5% 44.5%
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(每股盈餘：新台幣仟元) 2014 第2季
佔營收
比率 2015 第1季
佔營收
比率 2015 第2季
佔營收
比率 QoQ YoY
營業收入 $152,878 $207,892 $224,008 7.8% 46.5%
營業成本 -105,213 -132,059 -124,225
營業毛利 47,665 31.2% 75,833 36.5% 99,783 44.5% 31.6% 109.3%
營業費用 -35,175 23.0% -34,057 16.4% -34,682 15.5% 1.8% -1.4%
營業淨利 12,490 8.2% 41,776 20.1% 65,101 29.1% 55.8% 421.2%
營業外收入及支出 773 -18,185 -12,115
財務成本 - (6,423) -4,060
稅前淨利 13,263 17,168 48,926
所得稅(費用)利益 35,157 33,331 -17,885
稅後淨利 $48,420 31.7% $50,499 24.3% $31,041 13.9% -38.5% -35.9%
基本每股盈餘(單位：元) 1.61$ 1.66$ 0.98$
資產報酬率 5.1% 3.5% 2.1%
股東權益報酬率 5.8% 4.4% 2.6%
2015年第2季合併損益表 (IFRSs)
• 歷史新高: 營業收入 224,008仟元, 營業毛利率 44.5%, 營業淨利 65,101仟元
• CB 評價損失: Q1+Q2 帳上費用約26,460仟元，EPS= -0.83元。此費用僅為帳面上
費用，公司並無實際現金流出。
• Q2所得稅費用17,885仟元，其中16,372仟元可同額沖抵遞延所得稅資產，無實際現
金流出。
歷史新高本業EPS 2.05
歷史新高
歷史新高
CB評損無現金流出
所得稅費用
沖抵遞延所
得稅資產
無現金流出
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2015年第2季合併資產負債表(IFRSs)
37
單位：新台幣仟元 金額 % 金額 % 金額 %
現金 210,228 22.0% 230,538 16.2% 284,191 19.4%
應收帳款淨額 89,948 9.4% 103,318 7.2% 105,824 7.2%
存貨 125,263 13.1% 109,620 7.7% 131,937 9.0%
其他流動資產 126,411 13.3% 263,970 18.5% 262,751 17.9%
流動資產合計 551,850 57.9% 707,446 49.6% 784,703 53.4%
不動產，廠房及設備 287,364 30.1% 325,661 22.9% 309,661 21.1%
無形資產 771 0.1% 59,179 4.2% 56,118 3.8%
其他非流動資產 113,481 11.9% 332,831 23.4% 318,048 21.7%
資產總額 953,466 100.0% 1,425,117 100.0% 1,468,530 100.0%
流動負債 111,681 119,691 174,463
長期負債-可轉換公司債 - 145,598 111,003
負債總額 111,681 11.7% 265,289 18.6% 285,466 19.4%
股東權益 841,785 88.3% 1,159,828 81.4% 1,183,064 80.6%
負債與股東權益總額 953,466 100.0% 1,425,117 100.0% 1,468,530 100.0%
負債比率 11.7% 18.6% 19.4%
流動比率 494.1% 591.1% 449.8%
速動比率 376.7% 491.6% 368.0%
6/30/2014 3/31/2015 6/30/2015
• 營業活動之淨現金流入第一季為52,687仟元，第二季為
56,694仟元，連創歷史單季新高。
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主要產品別銷貨收入
38
2010 2011 2012 2013 2014 2015 Q1 2015 Q2
比率 比率 比率 比率 比率 比率 比率
砷化鎵(GaAs)磊晶片 66.0% 62.0% 39.7% 35.1% 46.7% 55.1% 50.3%
磷化銦( InP)磊晶片 17.1% 17.9% 40.2% 39.4% 31.2% 21.3% 17.4%
銻化鎵(GaSb)及勞務收入 11.5% 11.2% 15.6% 22.4% 21.5% 23.2% 31.6%
其他 5.4% 9.0% 4.5% 3.1% 0.6% 0.4% 0.7%
合計 100.0% 100.0% 100.0% 100.0% 100.0% 100.0% 100.0%
產品別銷貨收入
年度
產品別
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營收展望
� 2015 Soitec客戶營收貢獻
2015 UMS營收貢獻
� 2015 營收成長動能
SWKS � 其他高頻應用產品
Keysight � 高頻量測產品
UMS � 汽車防撞雷達
GaSb-IR � 進入量產商業化產品
------------------------------------------
CZT � 紅外線追熱系統
切片研磨技術開發計畫
高毛利
40
謝謝大家，敬請指教
Q & A
