Date post: | 07-Feb-2018 |
Category: |
Documents |
Upload: | nguyenkiet |
View: | 232 times |
Download: | 6 times |
1
Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky
Optoelektronika a laserová technikaOptoelektronika a laserová technika
Úvodná prednáška do Úvodná prednáška do OEaLTOEaLT::
Úvod do optoelektroniky,Úvod do optoelektroniky,spektrum optického žiareniaspektrum optického žiarenia,,fyzikálna podstata žiareniafyzikálna podstata žiarenia,,
šírenie optickej vlny v rôznych prostrediachšírenie optickej vlny v rôznych prostrediach
2
Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky
Obsah
Sylaby predmetu OEaLTOptoelektronika - vymedzenie pojmu, význam a použitie.Spektrum optického žiareniaFyzikálna podstata žiarenia:
vlnová teóriakvantová teória.
Šírenie optickej vlny v rôznych prostrediach:odrazabsorpciaprechod žiareniaSnellov zákon
3
Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky
...
Garant predmetu a prednášajúci:Garant predmetu a prednášajúci:Prof. Ing. František Uherek, PhD.
miestnosť (E504) E602
Skúška z predmetu OEaLT: 70 bodovCvičenia z predmetu: 30 bodov
Vedúci cvičení:Vedúci cvičení:Ing. Jaroslav Kováč
Miestnosť E513
4
Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky
Sylaby predmetu1. Optoelektronika - vymedzenie pojmu, význam a použitie. Spektrum optického žiarenia. Fyzikálna podstata žiarenia,
vlnová a kvantová teória. Šírenie optickej vlny v rôznych prostrediach; odraz, absorpcia a prechod žiarenia. Snellovzákon.
2. Rádiometria a fotometria. Veličiny charakterizujúce optické žiarenie. Žiarenie absolútne čierneho telesa, základné zákony (Kirchhoffov, Stefan-Boltzmanov, Planckov, Wienov). Rozdelenie zdrojov žiarenia podľa charakteru rozloženia žiarivej energie a charakteru jeho vzniku (rovnovážne a nerovnovážne).
3. Rovnovážne a nerovnovážne stavy kvantového systému. Interakcia optického žiarenia a látky, spontánne a indukované prechody, inverzná populácia, Einsteinove koeficienty. Základy teórie kvantových prestupov v polovodičoch a možnosti ich využitia v optoelektronických prvkoch. Priame a nepriame polovodiče. Polovodičové materiály pre OE prvky.
4. Detektory optického žiarenia, ich rozdelenie a charakterizácia. Tepelné fotodetektory (termistory, termočlánky a pyroelektrické fotodetektory), kvantové fotodetektory - fotonásobiče, fotodiódy, fotorezistory a fototranzistory, ich princip činnosti, konštrukcia, základné parametre a použitie.
5. Elektroluminiscenčné diódy - LED. Princip činnosti, konštrukcia (štruktúra), základné parametre a aplikácie. Elektronické obvody s LED.
6. Displeje, rozdelenie, charakterizácia a použitie. Zapojenia s LED a LC displejmi. Optróny a ich použitie. 7. Optické vlákna a ich použitie. Optické vláknové senzory. Principy optického prenosu informácií a jeho aplikácie.
Holografia, princip a jej využitie.8. Základy teórie laserov. Zosilnenie a vznik oscilácií optického žiarenia v aktívnej látke. Dvojhladinové a
viachladinové kvantové systémy. Optické rezonančné obvody. Spektrum žiarenia laserov. Selekcia módov. Koherencia, smerovosť a polarizácia laserového žiarenia.
9. Rozdelenie a charakterizácia laserov. Tuhofázové lasery, YAG:Nd a Rubínový laser. Kvapalinové lasery. Plynové lasery, He-Ne, CO2 a argónový laser. Polovodičové lasery, princip činnosti, konštrukcia rôznych typov, základné charakteristiky a parametre. Aplikácie polovodičových laserov.
10. Priemyselné aplikácie laserov - charakterizácia, základné výhody a nevýhody. Fyzikálne procesy pri interakcii laserového žiarenia a látky Opracovanie materiálov laserom - tepelné spracovanie, zváranie, rezanie, vŕtanie a popisovanie.
11. Aplikácie laserov vo výrobnej metrológii a diagnostike. Laserové nastavovanie, meranie rozmerov, vzdialeností, rýchlosti, zrýchlenia a vibrácií. Laserová holografická a spekl (speckle) interferometria.
12. Súčasné trendy rozvoja optoelektroniky a laserovej techniky v nádväznosti na rozvoj automobilového priemyslu.
5
Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky
OPTOELEKTRONIKAOPTOELEKTRONIKAOptoelektronikaOptoelektronika je vedný a technický odbor zaoberajúci sa interakciou optického žiarenia a látky (interakcia medzi fotónmi a elektrónmi) v rôznych prostrediach a možnosťami využitia tejto interakcie na generáciu, prenos, spracovanie, uchovanie a detekciu optického žiarenia.
elektrické pole (napätie, prúd, ...)
optické žiarenie (výkon, vlnová dĺžka, ...)
zdroj žiarenia
(LED, LD)
detektor žiarenia
(fotodióda)
optické komunikač-né systémy, optočleny
modulátor, spínač,
prepínač
6
Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky
OPTOELEKTRONIKAOPTOELEKTRONIKA
Význam optoelektronikyVýznam optoelektroniky
Systémy, zariadenia a prístroje pracujúce na základe optoelektronických technológií zohrávajú neustále sa zväčšujúcu úlohu v globálnej ekonomike.Viacerí analytici označujú očakávaný význam optoelektroniky pre 21 storočie obdobný aký mala elektronika v 20 storočí.Svetová produkcia OE komponentov dosiahla v r. 1995 objem 6,4 bilióna USD, v r. 2001 prekročil hranicu 12 biliónov USD a je reálny predpoklad, že v r. 2006 prekročí hranicu 24 biliónov USD.
7
Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky
Polovodičové materiályPolovodičové materiálypoužívané pre optoelektronické súčiastky
Elementárne polovodiče: Si, Ge - nevyužívajú sa pre zdrojeBinárne polovodiče: dva komponenty: GaAs, InP, GaP …(III-V), (II-VI)Ternárne zlúčeniny: AlxGa1-xAs (III-V)
B C N O
SPSiAl
Zn Ga Ge As Se
Cd In Sn Sb Te
II
III IV V VI
8
Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky
Typické aplikácie optoelektroniky v praxiTypické aplikácie:
optické komunikáciedispleje, indikátorypoužitie v metrológiispotrebná elektronikaoptické vláknové senzorysolárne článkylasery a ich aplikácieholografiaautomobilový priemyselčítanie čiarových kódovtlačiarne...
9
Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky
Elektromagnetické spektrum
0,3nm 0,3µm 0,3mm 30cm 300m 300km
1018Hz 1015Hz 1012Hz 1GHz 1MHz 1kHz
mikrovlny dlhé vlny
stredné vlny
krátke vlnyVKVinfračervená
oblasť(IČ - IR)
ultrafialová oblasť
(UF - UV)
röntgenovevlny
gama žiarenie
kozmické žiarenie
viditeľné žiarenie
Spektrum optického žiareniaElektromagnetické vlny
od 100 nm po 100 µm
10
Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky
Rozdelenia spektra optického žiarenia
viditeľná oblasťVIS
ultrafialová oblasťUV
infračervená oblasťIR
100nm 370nm 760nm 100µm
Ultrafialové žiarenie:Ultrafialové žiarenie: Infračervené žiarenie:Infračervené žiarenie:krátkovlnné pásmo UV-A 370 – 315nm krátkovlnné pásmo IR-A 0,76 – 1,6µmstredné pásmo UV-B 315 – 280nm stredné pásmo IR-B 1,6 – 3,0µmdlhovlnné pásmo UV-C 280 – 100nm dlhovlnné pásmo IR-C 3,0 – 100µm
Viditeľné žiarenie (svetlo):Viditeľné žiarenie (svetlo):Červená 760-622nmOranžová 622-597nmŽltá 597-577nmZelená 577-492nmModrá 492-455nmFialová 455-370nm
11
Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky
„Svetlo“ – viditeľná časť optického žiarenia
optické žiarenie nie je jednoduchým prírodným javomsú potrebné dva modely na jeho popis:
vlnová teória (Fresnel, Huygens, Hook, Maxwell)kvantová teória (Planck, Einstein, de Broglie, Schrödinger)
Maxwell v roku 1864 určil vzťah pre matematické vyjadrenie rýchlosti svetla
– µ0 – permeabilita – ε0 – permitivita
sm10.31 8
00
≈=εµ
c
12
Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky
Vlnová teóriaoptické žiarenie má charakter elektromagnetického vlneniaPredpokladá spojitý prenos energieelektromagnetická vlna má časovo premennú
elektrickú EE zložkumagnetickú HH zložku
vektory EE a HH sú navzájom kolmé, kmitajúpriečne na smer šírenia vlny, pričom rovina kmitania vektorov sa neustále mení.
podľa Maxwella platí vzťah:
• tento vzťah sa volá vlnová rovnicapomocou vlnovej teórie môžme popísať:
šírenie optického žiarenia v rôznych prostrediachdifrakciuinterferenciupolarizáciu
( ) ( )HEtc
HE ,1, 2
2
22
∂∂
=∇
smer šírenia vlny
E
H
13
Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky
Vlnová teóriaλ – vlnová dĺžkaf – frekvenciavo vákuu platí
pre reálne prostredie: kde n je index lomu (materiálová konštanta charak-terizujúca dané prostredie, popisujúca o koľko sa zníži rýchlosť svetla v prostredí voči rýchlosti šírenia vo vákuu, udáva možnosť polarizovateľnostimateriálu pri interakcii elektromagnetického poľa s dipólom materiálu)µr – relatívna permeabilitaεr – relatívna premitivitaν – rýchlosť svetla v reálnom prostredí
pre vlnočet platí:
λλ
A⎥⎦⎤
⎢⎣⎡= m
ssmfc ,1; . 0λ
λ.fncv ==
rrn εµ=
λν 1=
14
Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky
Kvantová teóriaEinstein rozvinul hypotézy Plancka a sformuloval základy kvantovej teóriekvantová teória dopĺňa vlnovú teóriupopisuje „svetlo“ – optické žiarenie ako tok elementárnych častícoptická energia je vyžarovaná po malých dávkach – kvantáchkvantum optického žiarenia sa nazýva fotónfotónEnergia fotónuEnergia fotónu závisí od frekvencie (vlnovej dĺžky)
h = 6,626x10-34 J.s – Planckova konštanta
pomocou kvantovej teórie môžme popísať:absorpciuemisiufotoelektrický jav
[ ]J λchfhE ⋅=⋅=
cfotón
15
Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky
Kvantová teóriaAkú energiu má fotón s vlnovou dĺžkou 780nm?Energia fotónuEnergia fotónu
Pri vyjadrení energie fotónu v Jouloch dostávame veľmi malé hodnoty, preto zavedieme energiu v elektrónvoltochoznačujeme – eVenergiu 1eV dosiahne elektrón ak je urýchlený potenciálnym rozdielom 1Vplatí: 1eV = 1,602.10-19J
Potom pre energiu fotónu s λ = 780nm platí, že E = 1,59eV.
Energia fotónov na hranici optického žiarenia:λ = 100nm (f=2998THz) E = 12,4eV UV – oblasťλ = 100µm (f=2,998THz) E = 0,0124eV = 12,4meV IR – oblasť
J10.54.2m10.780
ms10.3Js10.62,6 199
1834 −
−
−− =⋅=⋅=
λchE
[ ]][
24.1m
eVEµλ
=
16
Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky
Interakcia optického žiarenia s látkami
Pri interakcii môže dosť k mnohým procesom, ktoré môžme zadeliť do troch skupín, pri ktorých dochádza:
k zachovaniu fotónu,k neionizujúcej premene fotónu,k ionizujúcej premene fotónu.
17
Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikykyInterakcia optického žiarenia a látky
Zachovanie fotónu Neionizujúca premena fotónu Ionizujúca premena fotónu
priepustnosť fotoluminiscencia fotoemisia
rozptyl absorpcia fotoelektrická vodivosť
odraz vznik excitónu generácia páru e-h
hf hf hf
hf1
hω
hf > hf1
hf
e
hω
hf hf hf
hωq
hωhf
hωq
e
hf
hf
hf
hωq
e-
h+ hf
hωq
e-
h+
18
Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky
Šírenie optického žiarenia v prostredí
n1
n2
Φr
Φe
Φa
Φt
Po dopade žiarivého toku Φe na povrch látky dochádza k nasledovným procesom:
časť : Φr sa odráža od povrchučasť : Φa sa pohlcuje v látkečasť : Φt prechádza látkou
Pre celkový dopadajúci žiarivý tok platí:
– činiteľ odrazivosti (reflektivita)
– činiteľ pohltenia (absorpcia)
– činiteľ priepustnosti (transmisia)
1=ΦΦ
+ΦΦ
+ΦΦ
e
t
e
a
e
r
( )λRe
r =ΦΦ
( )λAe
a =ΦΦ
( )λTe
t =ΦΦ
( ) ( ) ( ) 1=++ λλλ TAR
19
Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky
Šírenie optického žiarenia v reálnom prostredí - zákon odrazu a lomu pri kolmomkolmom dopade žiarenia
činiteľ odrazivosti (reflektivita)ak κ = 0, potom:
činiteľ pohltenia (absorpcia)koeficient extinkcie κ súvisí s koeficientom absorpcie α:
činiteľ priepustnosti (transmisia, κ = 0)
n1
n2
TT
RR
ΦΦee( ) ( )
( )212
212
nnnnR
+−
=λ( ) ( ) ( )( ) ( )22
12
2212
κκλ
+++−
=nnnnR
λκπα ..4
=
( )( )212
21..4nnnnT
+=λ
20
Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky
Praktické aplikácieantireflexná vrstva:
dielektrické zrkadlo:
(viacnásobná interferencia a optické rezonátory: Fabry - Perot)
312 nnn ⋅= polovodičová súčiastkaantireflexnávrstva
povrch
n3
AB
n2n1
d2
40
2211λ=⋅=⋅ ndnd
n1
ABC
odrazivos
0
1
33
1 2 21
ť
0 550 770
λ0
20
22λ=⋅nd
n2 n1 n2
d1=λ1/4 d2=λ2/4
λ0
λ (nm)
21
Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikykyŠírenie optického žiarenia na rozhraní dvoch prostredí
Snellov zákon
n2
z
y
O n1
λ λ
dopadajúce žiarenie
θt
λt
prepustené žiarenie
odrazené žiarenie
kt
B′A
B
A′
A ′′
ki
kr
θt
θi θiθr θr
Ai
BiAr
Br
Bt
AtPopis správania žiarenia na rozhraní dvoch materiálov s rôznym indexom lomu pri nekolmom dopade
platí (Snellov zákon):
Index lomu vákua n=1
22
11
'
'
ncttvAA
ncttvBB
==
==
t
i
AAABBBAB
θθ
sin''sin''
==
ti
tvtvABθθ sinsin
' 21 ==
1
2
2
1
sinsin
nn
vv
t
i ==θθ
22
Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky
Šírenie optického žiarenia na rozhraní dvoch prostredíFresneloveFresnelove vzťahyvzťahy
( )( )21
2113 αα
αα+−
=tgtgEE pp
( )( )21
2113 sin
sinαααα
+−−
= ss EE
α1 α3
α2 E2p
E3pE1p
E2s
E3sE1s Fresnelove vzťahy udávajú veľkosť intenzity (amplitúdu) a fázy elektrického poľa pri odraze a priepustnosti v závislosti od intenzity dopadajúceho optického žiarenia:α1 = α3, α2 < α1 pre n2 > n1
( ) ( )2121
1212 cossin
cossin2αααα
αα−+
= pp EE
( )21
1212 sin
cossin2αααα
+= ss EE
23
Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky
Úplný odraz na rozhraní dvoch prostredí
ak n1 > n2 potom optické žiarenie prechádzajúce do prostredia s indexom lomu n2 sa láme pod väčším uhlom ako je uhol dopadukeď tento uhol sa rovná 90°, hovoríme o medznom (kritickom) uhleak uhol dopadu bude väčší ako θK, dôjde k úplnému odrazu
i
t
nn
θθ
sinsin
2
1 =
n2
θin1 > n2
dopadajúcežiarenie
prechádzajúcežiarenie
odrazenéžiarenie
kt
úplný odraz
ki kr
a) b) c)
θr
θt
θK θK
θi > θK
°= 90sinsin 21 nn Kθ
⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛=
1
2arcsinnn
Kθprincíp vedenia optického signálu (optické vlnovody, optické vlákna)
24
Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky
Brewsterov uhol – polarizačný uhol
n1
n2
αΒ αΒ
π/2Brewsterov uhol: ak n2 > n1 potom pre tento uhol platí, že dochádza k polarizácii žiareniaodrazí sa iba kolmá zložka elektrického poľaα1-α2 → π/2; E3p→0
φ //
φ⊥
(b)
60
120
180
uhol dopadu θi
00.10.20.30.40.50.60.70.80.9
1
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
| r // |
| r⊥ |θB
(a)
koeficient odrazivosti R fáza
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
úplný odraz
0
−60
−120
−180
θK
θK
θB
uhol dopadu θi
( )( )21
21
1
3
αααα
+−
==tgtg
EE
rp
pp
( )( )21
21
1
3
sinsin
αααα
+−
==s
ss E
Er
r – reflexný koeficient
⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛=
1
2
nnarctgBα
25
Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky
Ďakujem za pozornosť