+ All Categories
Home > Documents > Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra...

Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra...

Date post: 07-Feb-2018
Category:
Upload: nguyenkiet
View: 232 times
Download: 6 times
Share this document with a friend
25
1 Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky S S T T U U Katedra Katedra Mi Mi k k roele roele k k troni troni ky ky Optoelektronika a laserová technika Optoelektronika a laserová technika Úvodná prednáška do Úvodná prednáška do OEaLT OEaLT : : Úvod do optoelektroniky, Úvod do optoelektroniky, spektrum optického žiarenia spektrum optického žiarenia , , fyzikálna podstata žiarenia fyzikálna podstata žiarenia , , šírenie optickej vlny v rôznych prostrediach šírenie optickej vlny v rôznych prostrediach
Transcript
Page 1: Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra ...ec.elf.stuba.sk/kme/buxus/docs/predmety/OEaLT/Prednasky/1... · 1 Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra Mikroelektroniky

1

Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky

Optoelektronika a laserová technikaOptoelektronika a laserová technika

Úvodná prednáška do Úvodná prednáška do OEaLTOEaLT::

Úvod do optoelektroniky,Úvod do optoelektroniky,spektrum optického žiareniaspektrum optického žiarenia,,fyzikálna podstata žiareniafyzikálna podstata žiarenia,,

šírenie optickej vlny v rôznych prostrediachšírenie optickej vlny v rôznych prostrediach

Page 2: Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra ...ec.elf.stuba.sk/kme/buxus/docs/predmety/OEaLT/Prednasky/1... · 1 Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra Mikroelektroniky

2

Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky

Obsah

Sylaby predmetu OEaLTOptoelektronika - vymedzenie pojmu, význam a použitie.Spektrum optického žiareniaFyzikálna podstata žiarenia:

vlnová teóriakvantová teória.

Šírenie optickej vlny v rôznych prostrediach:odrazabsorpciaprechod žiareniaSnellov zákon

Page 3: Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra ...ec.elf.stuba.sk/kme/buxus/docs/predmety/OEaLT/Prednasky/1... · 1 Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra Mikroelektroniky

3

Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky

...

Garant predmetu a prednášajúci:Garant predmetu a prednášajúci:Prof. Ing. František Uherek, PhD.

miestnosť (E504) E602

Skúška z predmetu OEaLT: 70 bodovCvičenia z predmetu: 30 bodov

Vedúci cvičení:Vedúci cvičení:Ing. Jaroslav Kováč

Miestnosť E513

Page 4: Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra ...ec.elf.stuba.sk/kme/buxus/docs/predmety/OEaLT/Prednasky/1... · 1 Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra Mikroelektroniky

4

Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky

Sylaby predmetu1. Optoelektronika - vymedzenie pojmu, význam a použitie. Spektrum optického žiarenia. Fyzikálna podstata žiarenia,

vlnová a kvantová teória. Šírenie optickej vlny v rôznych prostrediach; odraz, absorpcia a prechod žiarenia. Snellovzákon.

2. Rádiometria a fotometria. Veličiny charakterizujúce optické žiarenie. Žiarenie absolútne čierneho telesa, základné zákony (Kirchhoffov, Stefan-Boltzmanov, Planckov, Wienov). Rozdelenie zdrojov žiarenia podľa charakteru rozloženia žiarivej energie a charakteru jeho vzniku (rovnovážne a nerovnovážne).

3. Rovnovážne a nerovnovážne stavy kvantového systému. Interakcia optického žiarenia a látky, spontánne a indukované prechody, inverzná populácia, Einsteinove koeficienty. Základy teórie kvantových prestupov v polovodičoch a možnosti ich využitia v optoelektronických prvkoch. Priame a nepriame polovodiče. Polovodičové materiály pre OE prvky.

4. Detektory optického žiarenia, ich rozdelenie a charakterizácia. Tepelné fotodetektory (termistory, termočlánky a pyroelektrické fotodetektory), kvantové fotodetektory - fotonásobiče, fotodiódy, fotorezistory a fototranzistory, ich princip činnosti, konštrukcia, základné parametre a použitie.

5. Elektroluminiscenčné diódy - LED. Princip činnosti, konštrukcia (štruktúra), základné parametre a aplikácie. Elektronické obvody s LED.

6. Displeje, rozdelenie, charakterizácia a použitie. Zapojenia s LED a LC displejmi. Optróny a ich použitie. 7. Optické vlákna a ich použitie. Optické vláknové senzory. Principy optického prenosu informácií a jeho aplikácie.

Holografia, princip a jej využitie.8. Základy teórie laserov. Zosilnenie a vznik oscilácií optického žiarenia v aktívnej látke. Dvojhladinové a

viachladinové kvantové systémy. Optické rezonančné obvody. Spektrum žiarenia laserov. Selekcia módov. Koherencia, smerovosť a polarizácia laserového žiarenia.

9. Rozdelenie a charakterizácia laserov. Tuhofázové lasery, YAG:Nd a Rubínový laser. Kvapalinové lasery. Plynové lasery, He-Ne, CO2 a argónový laser. Polovodičové lasery, princip činnosti, konštrukcia rôznych typov, základné charakteristiky a parametre. Aplikácie polovodičových laserov.

10. Priemyselné aplikácie laserov - charakterizácia, základné výhody a nevýhody. Fyzikálne procesy pri interakcii laserového žiarenia a látky Opracovanie materiálov laserom - tepelné spracovanie, zváranie, rezanie, vŕtanie a popisovanie.

11. Aplikácie laserov vo výrobnej metrológii a diagnostike. Laserové nastavovanie, meranie rozmerov, vzdialeností, rýchlosti, zrýchlenia a vibrácií. Laserová holografická a spekl (speckle) interferometria.

12. Súčasné trendy rozvoja optoelektroniky a laserovej techniky v nádväznosti na rozvoj automobilového priemyslu.

Page 5: Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra ...ec.elf.stuba.sk/kme/buxus/docs/predmety/OEaLT/Prednasky/1... · 1 Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra Mikroelektroniky

5

Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky

OPTOELEKTRONIKAOPTOELEKTRONIKAOptoelektronikaOptoelektronika je vedný a technický odbor zaoberajúci sa interakciou optického žiarenia a látky (interakcia medzi fotónmi a elektrónmi) v rôznych prostrediach a možnosťami využitia tejto interakcie na generáciu, prenos, spracovanie, uchovanie a detekciu optického žiarenia.

elektrické pole (napätie, prúd, ...)

optické žiarenie (výkon, vlnová dĺžka, ...)

zdroj žiarenia

(LED, LD)

detektor žiarenia

(fotodióda)

optické komunikač-né systémy, optočleny

modulátor, spínač,

prepínač

Page 6: Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra ...ec.elf.stuba.sk/kme/buxus/docs/predmety/OEaLT/Prednasky/1... · 1 Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra Mikroelektroniky

6

Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky

OPTOELEKTRONIKAOPTOELEKTRONIKA

Význam optoelektronikyVýznam optoelektroniky

Systémy, zariadenia a prístroje pracujúce na základe optoelektronických technológií zohrávajú neustále sa zväčšujúcu úlohu v globálnej ekonomike.Viacerí analytici označujú očakávaný význam optoelektroniky pre 21 storočie obdobný aký mala elektronika v 20 storočí.Svetová produkcia OE komponentov dosiahla v r. 1995 objem 6,4 bilióna USD, v r. 2001 prekročil hranicu 12 biliónov USD a je reálny predpoklad, že v r. 2006 prekročí hranicu 24 biliónov USD.

Page 7: Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra ...ec.elf.stuba.sk/kme/buxus/docs/predmety/OEaLT/Prednasky/1... · 1 Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra Mikroelektroniky

7

Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky

Polovodičové materiályPolovodičové materiálypoužívané pre optoelektronické súčiastky

Elementárne polovodiče: Si, Ge - nevyužívajú sa pre zdrojeBinárne polovodiče: dva komponenty: GaAs, InP, GaP …(III-V), (II-VI)Ternárne zlúčeniny: AlxGa1-xAs (III-V)

B C N O

SPSiAl

Zn Ga Ge As Se

Cd In Sn Sb Te

II

III IV V VI

Page 8: Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra ...ec.elf.stuba.sk/kme/buxus/docs/predmety/OEaLT/Prednasky/1... · 1 Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra Mikroelektroniky

8

Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky

Typické aplikácie optoelektroniky v praxiTypické aplikácie:

optické komunikáciedispleje, indikátorypoužitie v metrológiispotrebná elektronikaoptické vláknové senzorysolárne článkylasery a ich aplikácieholografiaautomobilový priemyselčítanie čiarových kódovtlačiarne...

Page 9: Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra ...ec.elf.stuba.sk/kme/buxus/docs/predmety/OEaLT/Prednasky/1... · 1 Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra Mikroelektroniky

9

Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky

Elektromagnetické spektrum

0,3nm 0,3µm 0,3mm 30cm 300m 300km

1018Hz 1015Hz 1012Hz 1GHz 1MHz 1kHz

mikrovlny dlhé vlny

stredné vlny

krátke vlnyVKVinfračervená

oblasť(IČ - IR)

ultrafialová oblasť

(UF - UV)

röntgenovevlny

gama žiarenie

kozmické žiarenie

viditeľné žiarenie

Spektrum optického žiareniaElektromagnetické vlny

od 100 nm po 100 µm

Page 10: Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra ...ec.elf.stuba.sk/kme/buxus/docs/predmety/OEaLT/Prednasky/1... · 1 Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra Mikroelektroniky

10

Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky

Rozdelenia spektra optického žiarenia

viditeľná oblasťVIS

ultrafialová oblasťUV

infračervená oblasťIR

100nm 370nm 760nm 100µm

Ultrafialové žiarenie:Ultrafialové žiarenie: Infračervené žiarenie:Infračervené žiarenie:krátkovlnné pásmo UV-A 370 – 315nm krátkovlnné pásmo IR-A 0,76 – 1,6µmstredné pásmo UV-B 315 – 280nm stredné pásmo IR-B 1,6 – 3,0µmdlhovlnné pásmo UV-C 280 – 100nm dlhovlnné pásmo IR-C 3,0 – 100µm

Viditeľné žiarenie (svetlo):Viditeľné žiarenie (svetlo):Červená 760-622nmOranžová 622-597nmŽltá 597-577nmZelená 577-492nmModrá 492-455nmFialová 455-370nm

Page 11: Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra ...ec.elf.stuba.sk/kme/buxus/docs/predmety/OEaLT/Prednasky/1... · 1 Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra Mikroelektroniky

11

Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky

„Svetlo“ – viditeľná časť optického žiarenia

optické žiarenie nie je jednoduchým prírodným javomsú potrebné dva modely na jeho popis:

vlnová teória (Fresnel, Huygens, Hook, Maxwell)kvantová teória (Planck, Einstein, de Broglie, Schrödinger)

Maxwell v roku 1864 určil vzťah pre matematické vyjadrenie rýchlosti svetla

– µ0 – permeabilita – ε0 – permitivita

sm10.31 8

00

≈=εµ

c

Page 12: Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra ...ec.elf.stuba.sk/kme/buxus/docs/predmety/OEaLT/Prednasky/1... · 1 Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra Mikroelektroniky

12

Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky

Vlnová teóriaoptické žiarenie má charakter elektromagnetického vlneniaPredpokladá spojitý prenos energieelektromagnetická vlna má časovo premennú

elektrickú EE zložkumagnetickú HH zložku

vektory EE a HH sú navzájom kolmé, kmitajúpriečne na smer šírenia vlny, pričom rovina kmitania vektorov sa neustále mení.

podľa Maxwella platí vzťah:

• tento vzťah sa volá vlnová rovnicapomocou vlnovej teórie môžme popísať:

šírenie optického žiarenia v rôznych prostrediachdifrakciuinterferenciupolarizáciu

( ) ( )HEtc

HE ,1, 2

2

22

∂∂

=∇

smer šírenia vlny

E

H

Page 13: Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra ...ec.elf.stuba.sk/kme/buxus/docs/predmety/OEaLT/Prednasky/1... · 1 Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra Mikroelektroniky

13

Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky

Vlnová teóriaλ – vlnová dĺžkaf – frekvenciavo vákuu platí

pre reálne prostredie: kde n je index lomu (materiálová konštanta charak-terizujúca dané prostredie, popisujúca o koľko sa zníži rýchlosť svetla v prostredí voči rýchlosti šírenia vo vákuu, udáva možnosť polarizovateľnostimateriálu pri interakcii elektromagnetického poľa s dipólom materiálu)µr – relatívna permeabilitaεr – relatívna premitivitaν – rýchlosť svetla v reálnom prostredí

pre vlnočet platí:

λλ

A⎥⎦⎤

⎢⎣⎡= m

ssmfc ,1; . 0λ

λ.fncv ==

rrn εµ=

λν 1=

Page 14: Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra ...ec.elf.stuba.sk/kme/buxus/docs/predmety/OEaLT/Prednasky/1... · 1 Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra Mikroelektroniky

14

Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky

Kvantová teóriaEinstein rozvinul hypotézy Plancka a sformuloval základy kvantovej teóriekvantová teória dopĺňa vlnovú teóriupopisuje „svetlo“ – optické žiarenie ako tok elementárnych častícoptická energia je vyžarovaná po malých dávkach – kvantáchkvantum optického žiarenia sa nazýva fotónfotónEnergia fotónuEnergia fotónu závisí od frekvencie (vlnovej dĺžky)

h = 6,626x10-34 J.s – Planckova konštanta

pomocou kvantovej teórie môžme popísať:absorpciuemisiufotoelektrický jav

[ ]J λchfhE ⋅=⋅=

cfotón

Page 15: Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra ...ec.elf.stuba.sk/kme/buxus/docs/predmety/OEaLT/Prednasky/1... · 1 Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra Mikroelektroniky

15

Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky

Kvantová teóriaAkú energiu má fotón s vlnovou dĺžkou 780nm?Energia fotónuEnergia fotónu

Pri vyjadrení energie fotónu v Jouloch dostávame veľmi malé hodnoty, preto zavedieme energiu v elektrónvoltochoznačujeme – eVenergiu 1eV dosiahne elektrón ak je urýchlený potenciálnym rozdielom 1Vplatí: 1eV = 1,602.10-19J

Potom pre energiu fotónu s λ = 780nm platí, že E = 1,59eV.

Energia fotónov na hranici optického žiarenia:λ = 100nm (f=2998THz) E = 12,4eV UV – oblasťλ = 100µm (f=2,998THz) E = 0,0124eV = 12,4meV IR – oblasť

J10.54.2m10.780

ms10.3Js10.62,6 199

1834 −

−− =⋅=⋅=

λchE

[ ]][

24.1m

eVEµλ

=

Page 16: Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra ...ec.elf.stuba.sk/kme/buxus/docs/predmety/OEaLT/Prednasky/1... · 1 Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra Mikroelektroniky

16

Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky

Interakcia optického žiarenia s látkami

Pri interakcii môže dosť k mnohým procesom, ktoré môžme zadeliť do troch skupín, pri ktorých dochádza:

k zachovaniu fotónu,k neionizujúcej premene fotónu,k ionizujúcej premene fotónu.

Page 17: Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra ...ec.elf.stuba.sk/kme/buxus/docs/predmety/OEaLT/Prednasky/1... · 1 Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra Mikroelektroniky

17

Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikykyInterakcia optického žiarenia a látky

Zachovanie fotónu Neionizujúca premena fotónu Ionizujúca premena fotónu

priepustnosť fotoluminiscencia fotoemisia

rozptyl absorpcia fotoelektrická vodivosť

odraz vznik excitónu generácia páru e-h

hf hf hf

hf1

hf > hf1

hf

e

hf hf hf

hωq

hωhf

hωq

e

hf

hf

hf

hωq

e-

h+ hf

hωq

e-

h+

Page 18: Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra ...ec.elf.stuba.sk/kme/buxus/docs/predmety/OEaLT/Prednasky/1... · 1 Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra Mikroelektroniky

18

Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky

Šírenie optického žiarenia v prostredí

n1

n2

Φr

Φe

Φa

Φt

Po dopade žiarivého toku Φe na povrch látky dochádza k nasledovným procesom:

časť : Φr sa odráža od povrchučasť : Φa sa pohlcuje v látkečasť : Φt prechádza látkou

Pre celkový dopadajúci žiarivý tok platí:

– činiteľ odrazivosti (reflektivita)

– činiteľ pohltenia (absorpcia)

– činiteľ priepustnosti (transmisia)

1=ΦΦ

+ΦΦ

+ΦΦ

e

t

e

a

e

r

( )λRe

r =ΦΦ

( )λAe

a =ΦΦ

( )λTe

t =ΦΦ

( ) ( ) ( ) 1=++ λλλ TAR

Page 19: Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra ...ec.elf.stuba.sk/kme/buxus/docs/predmety/OEaLT/Prednasky/1... · 1 Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra Mikroelektroniky

19

Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky

Šírenie optického žiarenia v reálnom prostredí - zákon odrazu a lomu pri kolmomkolmom dopade žiarenia

činiteľ odrazivosti (reflektivita)ak κ = 0, potom:

činiteľ pohltenia (absorpcia)koeficient extinkcie κ súvisí s koeficientom absorpcie α:

činiteľ priepustnosti (transmisia, κ = 0)

n1

n2

TT

RR

ΦΦee( ) ( )

( )212

212

nnnnR

+−

=λ( ) ( ) ( )( ) ( )22

12

2212

κκλ

+++−

=nnnnR

λκπα ..4

=

( )( )212

21..4nnnnT

+=λ

Page 20: Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra ...ec.elf.stuba.sk/kme/buxus/docs/predmety/OEaLT/Prednasky/1... · 1 Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra Mikroelektroniky

20

Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky

Praktické aplikácieantireflexná vrstva:

dielektrické zrkadlo:

(viacnásobná interferencia a optické rezonátory: Fabry - Perot)

312 nnn ⋅= polovodičová súčiastkaantireflexnávrstva

povrch

n3

AB

n2n1

d2

40

2211λ=⋅=⋅ ndnd

n1

ABC

odrazivos

0

1

33

1 2 21

ť

0 550 770

λ0

20

22λ=⋅nd

n2 n1 n2

d1=λ1/4 d2=λ2/4

λ0

λ (nm)

Page 21: Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra ...ec.elf.stuba.sk/kme/buxus/docs/predmety/OEaLT/Prednasky/1... · 1 Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra Mikroelektroniky

21

Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikykyŠírenie optického žiarenia na rozhraní dvoch prostredí

Snellov zákon

n2

z

y

O n1

λ λ

dopadajúce žiarenie

θt

λt

prepustené žiarenie

odrazené žiarenie

kt

B′A

B

A′

A ′′

ki

kr

θt

θi θiθr θr

Ai

BiAr

Br

Bt

AtPopis správania žiarenia na rozhraní dvoch materiálov s rôznym indexom lomu pri nekolmom dopade

platí (Snellov zákon):

Index lomu vákua n=1

22

11

'

'

ncttvAA

ncttvBB

==

==

t

i

AAABBBAB

θθ

sin''sin''

==

ti

tvtvABθθ sinsin

' 21 ==

1

2

2

1

sinsin

nn

vv

t

i ==θθ

Page 22: Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra ...ec.elf.stuba.sk/kme/buxus/docs/predmety/OEaLT/Prednasky/1... · 1 Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra Mikroelektroniky

22

Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky

Šírenie optického žiarenia na rozhraní dvoch prostredíFresneloveFresnelove vzťahyvzťahy

( )( )21

2113 αα

αα+−

=tgtgEE pp

( )( )21

2113 sin

sinαααα

+−−

= ss EE

α1 α3

α2 E2p

E3pE1p

E2s

E3sE1s Fresnelove vzťahy udávajú veľkosť intenzity (amplitúdu) a fázy elektrického poľa pri odraze a priepustnosti v závislosti od intenzity dopadajúceho optického žiarenia:α1 = α3, α2 < α1 pre n2 > n1

( ) ( )2121

1212 cossin

cossin2αααα

αα−+

= pp EE

( )21

1212 sin

cossin2αααα

+= ss EE

Page 23: Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra ...ec.elf.stuba.sk/kme/buxus/docs/predmety/OEaLT/Prednasky/1... · 1 Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra Mikroelektroniky

23

Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky

Úplný odraz na rozhraní dvoch prostredí

ak n1 > n2 potom optické žiarenie prechádzajúce do prostredia s indexom lomu n2 sa láme pod väčším uhlom ako je uhol dopadukeď tento uhol sa rovná 90°, hovoríme o medznom (kritickom) uhleak uhol dopadu bude väčší ako θK, dôjde k úplnému odrazu

i

t

nn

θθ

sinsin

2

1 =

n2

θin1 > n2

dopadajúcežiarenie

prechádzajúcežiarenie

odrazenéžiarenie

kt

úplný odraz

ki kr

a) b) c)

θr

θt

θK θK

θi > θK

°= 90sinsin 21 nn Kθ

⎟⎟⎠

⎞⎜⎜⎝

⎛=

1

2arcsinnn

Kθprincíp vedenia optického signálu (optické vlnovody, optické vlákna)

Page 24: Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra ...ec.elf.stuba.sk/kme/buxus/docs/predmety/OEaLT/Prednasky/1... · 1 Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra Mikroelektroniky

24

Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky

Brewsterov uhol – polarizačný uhol

n1

n2

αΒ αΒ

π/2Brewsterov uhol: ak n2 > n1 potom pre tento uhol platí, že dochádza k polarizácii žiareniaodrazí sa iba kolmá zložka elektrického poľaα1-α2 → π/2; E3p→0

φ //

φ⊥

(b)

60

120

180

uhol dopadu θi

00.10.20.30.40.50.60.70.80.9

1

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90

| r // |

| r⊥ |θB

(a)

koeficient odrazivosti R fáza

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90

úplný odraz

0

−60

−120

−180

θK

θK

θB

uhol dopadu θi

( )( )21

21

1

3

αααα

+−

==tgtg

EE

rp

pp

( )( )21

21

1

3

sinsin

αααα

+−

==s

ss E

Er

r – reflexný koeficient

⎟⎟⎠

⎞⎜⎜⎝

⎛=

1

2

nnarctgBα

Page 25: Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra ...ec.elf.stuba.sk/kme/buxus/docs/predmety/OEaLT/Prednasky/1... · 1 Fakulta Elektrotechniky a Informatiky STU – Katedra Mikroelektroniky

25

Fakulta Elektrotechniky a Informatiky Fakulta Elektrotechniky a Informatiky SSTTUU –– KatedraKatedra MiMikkroeleroelekktronitronikyky

Ďakujem za pozornosť


Recommended