13
RTG DIFRAKCE NA SEMIPOLÁRNÍCH EPITAXNÍCH VRSTVÁCH GaN Václav Holý Katedra fyziky kondenzovaných látek MFF UK, Ke Karlovu 5, [email protected] 1 Informace pro studenty
Informace pro studenty 1
RTG DIFRAKCE NA SEMIPOLÁRNÍCH EPITAXNÍCH VRSTVÁCH GaN
Václav Holý
Katedra fyziky kondenzovaných látek MFF UK, Ke Karlovu 5,[email protected]
Informace pro studenty 2
GaN – jeden z nejdůležitějších polovodičových materiálů
Modré, zelené a bílé světelné diody
Informace pro studenty 3
Informace pro studenty 4
Informace pro studenty 5
Struktura GaN:
Wurtzitová mřížka
Informace pro studenty 6
Zakázaný pás šířky asi 3.1 eV
Depozice metodou CVD na různé substráty: Al2O3, SiC, Si(111)
Informace pro studenty 7
(0001) basal c-plane
Informace pro studenty 8
(1120) a-plane
Informace pro studenty 9
a-GaN:
Basal stacking faults:
fcc-like segment
basal stacking faults in (0001) planes, prismatic stacking faults in {1210} a-planes
See the review in M. A. Moram and M. E. Vickers, Rep. Prog. Phys. 72, 036502 (2009)
Informace pro studenty 10
R. Liu, A. Bell, and F. A. Poncea, C. Q. Chen, J. W. Yang, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 86, 021908 (2005).
cross-section TEM with basal SFs
HRTEM, basal SF, type I1
basal and prismatic SFs
Informace pro studenty 11
In most cases, the basal stacking faults in the (0001) plane are larger than the coherence width of primary radiation the stacking faults give rise to streaks in reciprocal space along [0001].
M
jjEM
I1
2)(1)( QQ
N
n
nj nE
jn
14
.i2/.i |)|(ee)()(
4 aQ pQaQ
Ideal hcp stacking:A B A B A B A B
n 0 1 0 1 0 1 0 1
Ideal fcc stacking:A B C A B C A B
n 0 1 2 0 1 2 0 1
I1 stacking fault:A B A B C B C B
n 0 1 0 1 2 1 2 1
The simulation of the intensity distribution along the streak is made by a Monte-Carlo method
We assumed geometric distribution of random distances between stacking faults
Informace pro studenty 12
Cíle bakalářské práce:
1. Simulace rtg difrakce na vrstvách a-GaN s vrstevnými chybami
2. Měření rtg difrakce na epitaxních vrstvách a-GaN (prof. Krost, Univ. Magdeburg, prof. Hommel, Univ. Bremen) v naší rtg laboratoři a na synchrotronech
Informace pro studenty 13
Co požadujeme:1. Dobré znalosti přednášky Fyzika IV2. Zručnost práce s počítačem3. Základní znalost programování (Matlab)4. Základní experimentální dovednosti, např. chytnout vzorek do pinzety tak,
aby nespadl na zem
Co nabízíme:1. Slušné zacházení a přátelské prostředí (zeptejte se sami Vašich kolegů)2. Zajímavou práci na zajímavém tématu na unikátních vzorcích3. Cestování na synchrotrony (Hamburg, Grenoble, aj.) pokud budete mít zájem
M. Barchuk, V. Holý, B. Miljevic, B. Krause, T. Baumbach, J. Hertkorn, and F. Scholz, Journal of Appl. Phys. 108, 043521 (2010).M. Barchuk, V. Holý, B. Miljević, B. Krause, and T. Baumbach, Appl. Phys. Lett. 98, 021912 (2011).M. Barchuk, V. Holý, D. Kriegner, J. Stangl, S. Schwaiger, and F. Scholz, Phys. Rev. B 84, 094113 (2011).
