+ All Categories
Home > Documents > Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro...

Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro...

Date post: 27-Jul-2020
Category:
Upload: others
View: 11 times
Download: 0 times
Share this document with a friend
48
Třetí laboratorní cvičení Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information Technology Božetěchova 1/2, 612 66 Brno - Královo Pole Petr Veigend, [email protected] 2019/2020
Transcript
Page 1: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

Třetí laboratorní cvičení

Elektronika pro informační

technologie (IEL)

Brno University of Technology, Faculty of Information Technology

Božetěchova 1/2, 612 66 Brno - Královo Pole

Petr Veigend, [email protected]

2019/2020

Page 2: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

Základní informace

• Můj profil: http://www.fit.vut.cz/person/iveigend/

• Kancelář: A221

• Konzultační hodiny: po domluvě emailem

IEL cvičení 3 2

Page 3: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

Obsah

• Polovodičová dioda

• Úvod do problematiky

• Měření V-A charakteristiky diody

• Logický součet a součin v diodové logice

IEL cvičení 3 3

Page 4: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

POLOVODIČOVÁ DIODA

IEL cvičení 3 4

Page 5: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

Fyzikální princip PN přechodu

• Rozlišujeme polovodiče vlastní a nevlastní

• Vlastní (v praxi se příliš nepoužívají)

• Křemík (Si)

• Valenční vrstva – 4 elektrony, chová se jako elektricky

neutrální

• Příměsí vhodných prvků do čistého křemíku se tento stav

naruší → vznik 2 typů polovodičů

IEL cvičení 3 5

Page 6: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

Fyzikální princip PN přechodu

• Rozlišujeme polovodiče vlastní a nevlastní

• Vlastní (v praxi se příliš nepoužívají)

• Křemík (Si)

• Valenční vrstva – 4 elektrony, chová se jako elektricky

neutrální

• Příměsí vhodných prvků do čistého křemíku se tento stav

naruší → vznik 2 typů polovodičů

• Nevlastní

• polovodiče typu P

• Polovodiče typu N

IEL cvičení 3 6

Page 7: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

Fyzikální princip PN přechodu

• Typ N: elektronová vodivost, příměs o 1 el. více

• Příklad: 5-mocný fosfor (P) – 5 elektronů ve valenční

vrstvě

7

Page 8: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

Fyzikální princip PN přechodu

• Typ N: elektronová vodivost, příměs o 1 el. více

• Příklad: 5-mocný fosfor (P) – 5 elektronů ve valenční

vrstvě

• v krystalu křemíku od každého atomu fosforu 1 volný

elektron

8

Page 9: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

Fyzikální princip PN přechodu

• Typ N: elektronová vodivost, příměs o 1 el. více

• Příklad: 5-mocný fosfor (P) – 5 elektronů ve valenční

vrstvě

• v krystalu křemíku od každého atomu fosforu 1 volný

elektron

• Záporně nabitý materiál → polovodič typu N

9

Page 10: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

Fyzikální princip PN přechodu

• Typ P: děrová vodivost, příměs o 1 el. méně

• Příklad: 3-mocný bor (B) – 3 elektrony ve valenční vrstvě

IEL cvičení 3 10

Page 11: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

Fyzikální princip PN přechodu

• Typ P: děrová vodivost, příměs o 1 el. méně

• Příklad: 3-mocný bor (B) – 3 elektrony ve valenční vrstvě

• v krystalu křemíku od každého atomu boru 1 volné místo

("díra")

IEL cvičení 3 11

Page 12: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

Fyzikální princip PN přechodu

• Typ P: děrová vodivost, příměs o 1 el. méně

• Příklad: 3-mocný bor (B) – 3 elektrony ve valenční vrstvě

• v krystalu křemíku od každého atomu boru 1 volné místo

("díra")

• Kladně nabitý materiál → polovodič typu P

IEL cvičení 3 12

Page 13: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

Fyzikální princip PN přechodu

• Příměsi s 5 valenčními elektrony (např. fosfor)

• Donory: dodávají do krystalu křemíku volné elektrony

IEL cvičení 3 13

Page 14: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

Fyzikální princip PN přechodu

• Příměsi s 5 valenčními elektrony (např. fosfor)

• Donory: dodávají do krystalu křemíku volné elektrony

• Příměsi se 3 valenčními elektrony (např. bor)

• Akceptory: vytvářejí v křemíku kladně nabité "díry", které

elektrony přitahují

IEL cvičení 3 14

Page 15: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

Fyzikální princip PN přechodu

• Příměsi s 5 valenčními elektrony (např. fosfor)

• Donory: dodávají do krystalu křemíku volné elektrony

• Příměsi se 3 valenčními elektrony (např. bor)

• Akceptory: vytvářejí v křemíku kladně nabité "díry", které

elektrony přitahují

• Takto upravené materiály jsou však samy o sobě prakticky

nepoužitelné, jelikož neposkytují dostatek volných

elektronů pro vedení proudu.

IEL cvičení 3 15

Page 16: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

Fyzikální princip PN přechodu

• Příměsi s 5 valenčními elektrony (např. fosfor)

• Donory: dodávají do krystalu křemíku volné elektrony

• Příměsi se 3 valenčními elektrony (např. bor)

• Akceptory: vytvářejí v křemíku kladně nabité "díry", které

elektrony přitahují

• Takto upravené materiály jsou však samy o sobě prakticky

nepoužitelné, jelikož neposkytují dostatek volných

elektronů pro vedení proudu.

• Řešení: spojíme polovodiče typu P a N

→ PN přechod

IEL cvičení 3 16

Page 17: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

PN přechod – napětí nepřipojeno

• Rozhraní materiálů P a N

→ hradlová vrstva

(potenciálová bariéra)

IEL cvičení 3 17

Page 18: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

PN přechod – napětí nepřipojeno

• Rozhraní materiálů P a N

→ hradlová vrstva

(potenciálová bariéra)

• Volné elektrony (-) jsou

přitahovány k dírám (+)

• rekombinace – zánik

páru

(elektron se náhodně

setká s dírou, ztratí část

energie a zaplní díru)

IEL cvičení 3 18

Page 19: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

PN přechod v závěrném směru

• Připojeno vnější napětí

• Kladná polarita (+)

vnějšího napětí u

polovodiče N přitahuje

elektrony (-)

IEL cvičení 3 19

Page 20: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

PN přechod v závěrném směru

• Připojeno vnější napětí

• Kladná polarita (+)

vnějšího napětí u

polovodiče N přitahuje

elektrony (-)

• Záporná polarita (-)

vnějšího napětí u

polovodiče P přitahuje díry

(+)

IEL cvičení 3 20

Page 21: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

PN přechod v závěrném směru

• Připojeno vnější napětí

• Kladná polarita (+)

vnějšího napětí u

polovodiče N přitahuje

elektrony (-)

• Záporná polarita (-)

vnějšího napětí u

polovodiče P přitahuje díry

(+)

• potenciálová bariéra se

zvětšuje a proud

neprotéká

IEL cvičení 3 21

Page 22: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

PN přechod v propustném směru

• Připojeno vnější napětí

• Kladná polarita (+)

vnějšího napětí u

polovodiče P odpuzuje díry

(+)

IEL cvičení 3 22

Page 23: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

PN přechod v propustném směru

• Připojeno vnější napětí

• Kladná polarita (+)

vnějšího napětí u

polovodiče P odpuzuje díry

(+)

• Záporná polarita (-)

vnějšího napětí u

polovodiče N odpuzuje

elektrony (-) a tlačí je

směrem k přechodu

IEL cvičení 3 23

Page 24: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

PN přechod v propustném směru

• Připojeno vnější napětí

• Kladná polarita (+)

vnějšího napětí u

polovodiče P odpuzuje díry

(+)

• Záporná polarita (-)

vnějšího napětí u

polovodiče N odpuzuje

elektrony (-) a tlačí je

směrem k přechodu

• potenciálová bariéra

zaniká a začíná protékat

proud

IEL cvičení 3 24

dochází k rekombinaci elektronů

a děr

Page 25: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

• Analytické řešení

IEL cvičení 3 25

VA charakteristika PN přechodu

Page 26: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

• Lze aproximovat

IEL cvičení 3 26

VA charakteristika PN přechodu

Page 27: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

PN přechod v praxi – dioda

• Polovodičová dioda má tuto značku:

• Jedná se vlastně o polovodičový PN přechod

• Má dvě elektrody

• kladnou: anodu, P (delší)

• zápornou: katodu, N (kratší)

IEL cvičení 3 27

Page 28: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

VA charakteristika charakteristika diody

• Skutečná

charakteristika

ale vypadá takto:

• Diodou prochází proud i v tzv. závěrném směru. Pokud

překročí maximální povolenou hodnotu,

• dojde k (destruktivnímu) průrazu a u většiny typů diod i k

jejich zničení

(existují výjimky – Zenerova dioda)

IEL cvičení 3 28

Page 29: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

VA charakteristika charakteristika diody

• Si – otevírá se při UD=0,4V, otevřená je při UD=0,5V

– průraz cca při cca 300V

IEL cvičení 3 29

Page 30: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

PŘEHLED VYBAVENÍ

IEL cvičení 3 30

Page 31: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

Nepájivé pole

• V bodované části budete pracovat s nepájivým polem,

měřit budete pomocí multimetru

• Nepájivé pole – sloupce jsou vodivě propojeny!

• Izolační žlábek ukončuje vodivé propojení sloupce

IEL cvičení 3 31

Slo

up

ce

Řádky

Izolační

žlábky

Page 32: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

Multimetr

IEL cvičení 3 32

DCVstejnosměrné napětí

Ωodpor

Měření (U, I, R)Zem (GND)

Nastavit vždy před přivedením napájecího napětí!!

DCAstejnosměrný proud

Test vodiče

Page 33: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

Potenciometr

• Připojený do nepájivého kontaktního pole

• Do krajních vývodů zapojíme 5V a GND, z prostředních

odebíráme napětí

IEL cvičení 3 33

Page 34: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

IEL cvičení 3 34

Nové vybavení – diody

červená černá

Page 35: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

ÚKOL 0

SVÍTÍ?

IEL cvičení 3 35

Page 36: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

• Zapojte LED diodu do nepájivého pole

• Ověřte, zda svítí. Jestli ne, zkuste změnit polaritu

(otočit).

• Proč ?

IEL cvičení 3 36

Svítí?

Page 37: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

ÚKOL 1

V-A CHARAKTERISTIKA (LED)

DIODYIEL cvičení 3 37

Page 38: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

• Postup zapojení

IEL cvičení 3 38

V-A charakteristika diody

Page 39: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

• Postup zapojení

• Vstupní napětí (U) – potenciometr

• Multimetr

• DCV: 20 V

• DCA: 20 mA

• Vyneste V-A charakteristiku

U = 0,0.15,0.3,0.5,0.7,2 a 5 V)

IEL cvičení 3 39

V-A charakteristika diody

Page 40: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

ÚKOL 2

LOGICKÉ OPERACE AND, OR V

DIODOVÉ LOGICEIEL cvičení 3 40

Page 41: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

Úkol: Logický součin a součet v diodové logice

• Ověřte, zda jsou následující obvody schopny realizovat logické

operace OR (součet) a AND (součin)

Součet (OR) Součin (AND)

• Napětí v bodech A, B jsou vstupy obvodu, C je výstup

• Bod A – 5V, bod B – GND

• Bod C: log. 0 v rozsahu 0 – 1 V, log. 1 v rozsahu 3 – 5V

IEL cvičení 3 41

Page 42: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

Reference

• [1] Zadání laboratoří IEL, dostupné online přes IS FIT

IEL cvičení 3 42

Page 43: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

Děkuji Vám za pozornost!

IEL cvičení 3 43

Page 44: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

ÚKOL

DIODOVÝ USMĚRŇOVAČ

IEL cvičení 3 44

Page 45: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

Využití diod

• Propustný směr: diodou prochází proud

• Závěrný směr: průchod proudu je blokován

• Využití:

• Usměrňovače

• Také např. jako ochrana zařízení před nesprávnou

polaritou napájecího napětí

IEL cvičení 3 45

Page 46: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

Usměrňovače

• Existuje několik druhů usměrňovačů, v rámci dnešní

laboratoře budeme pracovat s tzv. jednocestným

usměrňovačem

• Princip činnosti v praxi viz obrázek

IEL cvičení 3 46

Page 47: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

Úkol: Diodový usměrňovač

• Pro ověření funkce diodového usměrňovače zapojte na

přípravku následující soustavu diferenciálních rovnic

𝑦′ = 𝑢 𝑦 0 = 10𝑢′ = −𝑦 𝑢 0 = 0

• Na přípravku se tato soustava dá zapojit následovně:

• Pozn.: vzhledem k součástkám v přípravku bude

harmonický průběh tlumený

• Pozn.: Pozor, prvky jsou invertující

IEL cvičení 3 47

Page 48: Elektronika pro informační technologie (IEL)iveigend/pages/iel/iel_03.pdf · Elektronika pro informační technologie (IEL) Brno University of Technology, Faculty of Information

Úkol: Diodový usměrňovač – usměrnění

• Nyní připojte k obvodu, který generuje harmonický

signál, diody a ověřte, že ho opravdu usměrňují

• Obvody budete připojovat za invertor

• Poznámka: hodnoty R nastavte dostatečně velké, tj.

alespoň v řádu jednotek či desítek kΩ

IEL cvičení 3 48


Recommended